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AO7410
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AO7410 uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) , very low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
SC-70
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =4.5V)
R DS(ON) (at V GS =2.5V)
30V
1.7A
< 55m ?
< 65m ?
< 85m ?
Top View
(SOT-323)
Bottom View
D
D
S
D
G
G
G
S
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
30
±12
Units
V
V
Continuous Drain
Current
Pulsed Drain Current
C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
1.7
1.3
15
A
Power Dissipation
B
T A =25°C
T A =70°C
P D
0.35
0.22
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Lead
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JL
300
340
280
360
425
320
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 5: Dec. 2012
www.aosmd.com
Page 1 of 5
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